中国中芯三度抄袭台积电？学者揭疑点(图)
中芯国际遭怀疑抄袭台积电7纳米制程。(图片来源:Adobe stock)
【williamhill官网 2022年7月24日讯】(williamhill官网 记者李泽旭综合报导)中芯国际7纳米芯片遭查疑似抄袭台积电，东吴大学企管系讲师林修民(22日)表示，合理怀疑抄袭。学者呼吁，政府应防堵，莫让中国得逞。
近日逆向工程分析公司TechInsights指出，中芯2021年7月起开始出货供给7纳米Soc芯片给美国比特币挖矿公司MinerVa，而芯片经过拆解分析，其初期影像显示几乎抄袭台积电的7纳米技术。将牵扯智慧财产权的法律问题。
据自由亚洲电台报导，东吴大学企管系讲师林修民指出，中芯从14纳米制程，跳过12、10纳米，直接进入7纳米制程，“半导体史没看过这么厉害的”。
林修民表示，本来是14纳米，直接翻了一倍跳到7纳米，中间到底发生什么事没人知道，仅横空出世了一个7纳米，甚至造出来的产品这么相似。他比喻，这就像老师改考卷，学生没有推演过程，就直接写答案，答案还跟隔壁有写推演过程的同学一模一样，当然会让外界怀疑是“抄袭”行为。
中芯因受到美国制府制裁导致无法取得芯片先进技术极紫外光曝光微影系统(ASML EUV)，但仍产出7纳米芯片。
林修民指出，晶圆代工厂使用EUV可使本来很深的进阶制程得以省下成本，不用曝光那么多次。如果中芯并无使用EUV技术做出7纳米或以下的制程产品，其成本十分昂贵，甚至高到不划算，同时也会影响产品良率。
他说，当然不排除为中芯为了配合中共党中央的政策，即便成本高到没有可行性，仍不惜成本产出。但他注意到，中芯对于此次制程“倍增”的跃进显得格外低调，不仅是官网，甚至任何官方文件也没有提到7纳米制程一事。
美国参议院也在本月20日的初步投票中，以64票对34票通过了520亿美元芯片法案，法案中一项规定指出，明确要求获得美国“芯片法案”补贴的半导体企业，必须在未来十年内禁止在中国新建或扩建先进制程的半导体工厂。
先前台积电曾经在2002年及2006年间，两度提告中芯抄袭芯片制程技术，其官司诉讼长达8年，直到2009年双方才达成和解，中芯必须赔偿台积电2亿美金（约新台币59亿元）并给予台积电8％股权。
据自由时报报导，成大电机系教授李忠宪表示，是中国发现了破口，比起与美国商讨谈判，从台湾这里挖人窃取更快。他呼吁台湾政府与国安单位应该要有完整的配套措施，“这也跟国家安全有着关系”。