日本理化研究所和美國麻省理工學院研究人員組成的研究小組，近日成功觀測到形成記憶時腦神經回路變化的情況。他們發現，在記憶事物時，神經突觸會變大，忘記時突觸會變小。
據新華網引述《日經產業新聞》近日報導，研究人員把從水母中提取的螢光蛋白植入神經細胞，然後用激光掃瞄顯微鏡進行觀察。在實驗中，研究人員分別模仿大腦記憶和忘記的過程，對與大腦記憶相關的神經細胞先後施以每秒100赫茲左右的強電和1赫茲的弱電。結果發現，前者突觸變大，後者突觸變小。
研究人員認為，這一發現有助於治療老年痴呆症。
《早報網》
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